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Disertación de Maestría
DOI
https://doi.org/10.11606/D.3.2008.tde-29012009-114411
Documento
Autor
Nombre completo
Edison Pires de Moraes
Dirección Electrónica
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 2008
Director
Tribunal
Kaiser, Walter (Presidente)
Komatsu, Wilson
Oliveira Júnior, Azauri Albano de
Título en portugués
Distribuição de corrente entre semicondutores em retificadores de alta corrente - estudo de casos reais.
Palabras clave en portugués
Retificadores
Resumen en portugués
Nos processos industriais envolvendo eletrólise, como na produção de alumínio, cobre, zinco, níquel, manganês, carbeto de silício, cloro e seus derivados, as correntes envolvidas em geral atingem patamares que excedem o valor nominal de um único semicondutor, exigindo a associação de componentes em paralelo com uma distribuição de corrente equilibrada. Este trabalho apresenta uma análise comparativa da distribuição de corrente em associações de semicondutores em paralelo em vinte retificadores de alta potência com diferentes tipos de arquitetura física de barramentos. A particularidade deste estudo é a medição simultânea das correntes em todos os semicondutores de todos os ramos do retificador obtendo-se uma imagem da distribuição real de correntes do conversor.
Título en inglés
Current distribution in high current rectifier semiconductors - real case study.
Palabras clave en inglés
Current distribution
Rectifier
Semiconductors
Resumen en inglés
The industrial electrolytic processes to produce, aluminum, cooper, zinc, nickel, manganese, silicon carbide, chlorine and its derivative, require current values which greatly exceed the capability of single rectifying devices and paralleled combinations of semiconductors or equipments are necessary. This study evaluated through a comparative analyzes twenty rectifiers, with different busbar geometries, in order to verify the current distribution in paralleled devices. The differential of this study is the simultaneous measurement of currents in all semiconductors of each branch in order to obtain a real representation of the rectifiers current distribution.
 
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Fecha de Publicación
2009-02-06
 
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