Neste trabalho estudamos a formação de siliceto de cobalto sobre substrato de silício monocristalino pouco e altamente dopado, em duas etapas térmicas, intercaladas por um ETCH seletivo de cobalto não reagido. Para a primeira etapa, tratamentos isotérmicos foram conduzidos a 400'GRAUS'c por recozimento térmico rápido em ambiente de argônio. Como resultado, observamos uma forte influência do tipo de dopante no processo de silicetação em baixa temperatura: no caso de amostras dopadas com boro, há indícios de um adiamento da formação da fase 'CO''SI'. Para as amostras dopadas com arsênio, o crescimento da fase 'CO IND.2''SI' é limitado e a presença da fase 'CO''SI' não foi observada. Verificamos forte perda de arsênio em função do tempo da primeira etapa térmica, perda esta que se tornou mais crítica apás a segunda etapa. A condição 400'GRAUS'c/120 segundos se mostrou a mais viável para a primeira etapa, pois o filme de disiliceto de cobalto obtido apás a segunda etapa (750'GRAUS'c/30 segundos) tem espessura da ordem de 50'NANOMETROS', com uma concentração de arsênio no substrato de 4,18 x'10 POT.14' átomos por centímetro quadrado.

In this work we studied cobalt silicide formation on lightly doped and heavily doped (As or BF2) silicone substrates. A process with two termal steps, and an intermediate selective etch of the unreacted cobalto, was used. The first termal step was conduced at 400°C in order to avoid lateral growth of silicide. Isothermal annealings were conducted by Rapid Thermal Processing (RTP), under atmospheric pressure in argon ambient. The samples were analyzed by RBS, XRD, SIMS, Perfilometry and 4-point probe. We observed a Strong influence of the dopant type on the silicidation process conducted at low temperature. In the case of samples doped with boron, there is an indication that the phase CoSi is formed earlier than when lightly dope dor arsenic doped substrates are used. For samples doped with arsenic, the growth of CO2Si is limited and the presence of CoSi is not observed. We observed a Strong depressing in the arsenic concentration after the first and the second termal steps. In the condition 400°C/120s we were successful in obtaining high dopant concentration at the silicide substrate interface with an As peak concentration in excesso of 4.18x1014 at/cm2, under the Co disilicide, CoSi2, after the second termal step.