• JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
 
  Bookmark and Share
 
 
Dissertação de Mestrado
DOI
10.11606/D.3.2013.tde-06072014-193844
Documento
Autor
Nome completo
Albert Nissimoff
E-mail
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Paulo, 2013
Orientador
Banca examinadora
Martino, João Antonio (Presidente)
Rotondaro, Antônio Luís Pacheco
Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Título em português
Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM.
Palavras-chave em português
Efeito de corpo flutuante
Memória (Eletrônica Digital)
Tecnologia SOI
Resumo em português
Esta dissertação apresenta os resultados obtidos no estudo do funcionamento dinâmico de uma célula de memória composta por um único transistor SOI MOSFET. Este estudo é baseado nos resultados experimentais observados em dispositivos nMOSFET em tecnologia SOI desenvolvidos no imec, Leuven, Bélgica. Os dados experimentais apresentados foram obtidos no Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP) e nos laboratórios AMSIMEC do centro de pesquisa imec, Bélgica. No presente trabalho foi levantado o histórico das memórias dinâmicas, assim como as características fundamentais de uma célula de memória dinâmica de um único transistor, tais como tempo de retenção e margem de sensibilidade, que são definidas e posteriormente verificadas para diferentes tipos de transistores. Inicialmente, foram estudados os mecanismos capazes de promover algum tipo de histerese na curva de corrente de fonte-dreno em função da tensão de porta de um transistor SOI em DC. Por meio destas propriedades, muitas vezes vistas como parasitárias, foi possível explorar o comportamento de um único transistor como célula de memória. Em seguida, passou-se às medidas dinâmicas, momento no qual foi necessário desenvolver um arranjo experimental conveniente de forma que fosse possível medir pulsos da ordem de µA com duração da ordem de 10ns. Assim, uma parte desta dissertação é dedicada à descrição dos problemas e soluções encontrados para viabilizar a medida destes rápidos e pequenos sinais. Foram observados dispositivos com tempos de retenção superiores a 100ms e margens de sensibilidades que ultrapassam 100µA. Finalmente, são apresentadas as conclusões encontradas e as possibilidades para estudos futuros.
Título em inglês
Dynamic study of 1T-Dram memories.
Palavras-chave em inglês
Floating body effect
Memory (Digital Electronics)
SOI technology
Resumo em inglês
This masters thesis presents the results obtained throughout the study of a memory cell composed of a single SOI MOSFET transistor. This study is based on the experimental results observed on SOI nMOSFET devices developed at imec, Leuven, Belgium. The experimental data presented was obtained both at the Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) from the Escola Politécnica da USP (EPUSP) and the AMSIMEC laboratories in the imec research center, Belgium. In this work, the history of dynamic memories as well as the fundamental characteristics of a single transistor dynamic memory cell, such as retention time and sense margin, which are defined and later verified for different transistors, have been analysed. Initially, the mechanisms capable of leading to some sort of hysteresis on the drain-source current as a function of the gate voltage on a SOI transistor operating in DC were studied. Through these properties many times regarded as parasitic it was possible to explore the behavior of a single SOI transistor operating as a memory cell. Afterwards, this work analyzes dynamic measurements, for which it has been necessary to develop an appropriate experimental setup capable of measuring pulses of some µA and lasting approximately 10ns. Therefore, part of this thesis is reserved for the description of the problems and solutions found in order to enable the measurement of these fast and small signals. Devices with retention times larger than 100ms and sense margins surpassing 100µA were measured. Finally, conclusions and possible future studies are presented.
 
AVISO - A consulta a este documento fica condicionada na aceitação das seguintes condições de uso:
Este trabalho é somente para uso privado de atividades de pesquisa e ensino. Não é autorizada sua reprodução para quaisquer fins lucrativos. Esta reserva de direitos abrange a todos os dados do documento bem como seu conteúdo. Na utilização ou citação de partes do documento é obrigatório mencionar nome da pessoa autora do trabalho.
Data de Publicação
2014-07-17
 
AVISO: O material descrito abaixo refere-se a trabalhos decorrentes desta tese ou dissertação. O conteúdo desses trabalhos é de inteira responsabilidade do autor da tese ou dissertação.
  • Sasaki, K. R. A., et al. Improved Retention Times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM Applications. Solid-State Electronics, 2013.
  • NISSIMOFF, A., et al. A Novel Low-Cost 1T-DRAM Dynamic Measurement System. In SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, Campinas, 2013. Proceedings of SEMINATEC 2013 - VIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology., 2013.
  • NISSIMOFF, A., et al. Two-Sided Read Window Observed on UTBOX SOI 1T-DRAM. In 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2013, Curitiba, 2013. SBMicro 2013 - Conference Proceedings. : IEEE, 2013.
  • SASAKI, K. R. A., et al. Improvement of Retention Time Using Pulsed Back Gate Bias on UTBOX SOI Memory Cell. In EUROSOI 2013 - IX Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, Paris, França, 2013. EUROSOI 2013 - Conference Proceedings., 2013.
  • Sasaki, K. R. A., et al. Semiconductor Film Band Gap Influence on Retention Time of UTBOX SOI 1T-DRAM Using Pulsed Back Gate Bias. In 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2013, Curitiba, 2013. Proceedings of SBMicro 2013. : IEEE, 2013.
  • SASAKI, K. R. A., et al. Semiconductor Film Bandgap Influence on Retention Time of UTBOX SOI 1T-FBRAM. In 223th ECS Meeting - Advanced Semiconductor-On-Insulator Technology and Related Physics 16, Toronto, Canadá, 2013. ECS Transactions.Pennington, NJ, EUA : The Electrochemical Society, 2013.
Todos os direitos da tese/dissertação são de seus autores
Centro de Informática de São Carlos
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP. Copyright © 2001-2019. Todos os direitos reservados.