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Disertación de Maestría
DOI
10.11606/D.3.2013.tde-10072014-014610
Documento
Autor
Nombre completo
Vinicius Ramos Zanchin
Dirección Electrónica
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 2013
Director
Tribunal
Fonseca, Fernando Josepetti (Presidente)
Rotondaro, Antônio Luís Pacheco
Seabra, Antonio Carlos
Título en portugués
Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis.
Palabras clave en portugués
Polímeros
Processos de fabricação
Semicondutores
Transistores
Resumen en portugués
Neste trabalho, é apresentada uma metodologia para fabricação de transistores de filmes finos orgânicos sobre substratos flexíveis e resultados de simples testes de flexão desses substratos. Foram fabricados transistores de Poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) com diversas arquiteturas não se preocupando somente com a relação W/L dessas, mas também com a facilidade de caracterizar os dispositivos em superfícies curvas. Os transistores foram fabricados sobre diversos substratos como silício, vidro e PET, para que fosse possível uma comparação de eficiência entre eles. A mobilidade do P3HT se manteve próximo de 10-2 cm2/Vs enquanto que a corrente de ION apresentou um aumento significativo, Os transistores sobre PET se mostraram resistentes à flexão, suportando raios de curvaturas de até 0,8 cm sem afetar sua resposta. Porém foi identificado que a compressão ou a tração resultam em efeitos diferentes nos transistores, principalmente sobre os eletrodos de ouro.
Título en inglés
Electrical analysis of organic transistors aiming manufacturing over flexible substrates.
Palabras clave en inglés
Manufacturing processes
Polymer
Semiconductors
Transistors
Resumen en inglés
Presented herein is a fabrication procedure for organic thin film transistors over flexible substrates. It is also shown the results of the bending tests on these devices. Transistors of poly(3-hexyl thiophene) (P3HT), with different architectures were fabricated, aiming not only the W/L relation but also, the capability contacting bent electrodes for testes on curved surfaces. The transistors were fabricated over rigid and flexible substrates like silicon, glass and PET, allowing the efficiency comparison between them. The P3HT mobility was kept stable, around 10-2 cm2/Vs, while the ION current presented a significant change on different substrates. The transistors over PET showed to be resistance to bending, being able to bend to a curve radius of 0.8 cm without losing its transistor characteristics. Although, it was identified that the direction of bending, compression and traction, result on different effects over the transistors, especially over the golden electrodes.
 
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Fecha de Publicación
2014-07-21
 
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