O grande desenvolvimento da microeletrônica nos últimos anos está diretamente ligado ao desenvolvimento de novos materiais, entre eles, o silício amorfo hidrogenado e suas ligas. Entretanto, muito há para estudar-se sobre suas propriedades físicas a fim de aprimorar-se o seu desempenho em dispositivos. Várias técnicas tem sido utilizadas para a obtenção desses materiais. Dentre elas, a deposição química na fase vapor assistida por plasma (PECVD) destaca-se pela possibilidade de depositar-se em vários tipos de substrato, inclusive em grandes áreas, a baixas temperaturas. Com o objetivo de estudar-se as propriedades do silício amorfo e suas ligas, construiu-se um reator do tipo PECVD. Foram introduzidas inovações no reator a fim de se explorar a influência dos parâmetros de deposição sobre as propriedades optoeletrônicas do material. As modificações introduzidas foram estudadas em função das características de películas de silício amorfo não dopadas depositadas nesse reator. Foram feitas medidas de espectrometria de absorção óptica no visível e no infravermelho para obtenção do hiato óptico, do conteúdo e da forma de incorporação do hidrogênio; medidas de condutividade e fotocondutividade e de energia de ativação.

The fast growth of microelectronics in the last years is directly related to development of new materials, among them a-Si:H and its alloys. However, a broad field of studies is open to understand their physical properties to improve material quality and device performance. Many techniques have been used to obtain these materials. Among others, PECVD is outstanding due to the possibility to grow films in different types of substrates, in large áreas, anda t low temperatures. Aiming the study of the properties of a-Si:H and its alloys, a PECVD reactor was built. Inovations were introduced in the reactor to investigatethe influence of deposition parameters on optoelectronics properties of the materials. The introduced changes was studied by the characterization of undoped amorphous silicone deposited in the reactor. Infrared and visible absorption measurements were carried out to obtian the optical gap, hydrogen contentes and bond configuration of the incorporated hydrogen; dark conductivity and photoconductivity were measured in the samples, to asses film quality.