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Disertación de Maestría
DOI
10.11606/D.3.2017.tde-24012017-082703
Documento
Autor
Nombre completo
Marcelo Bertoldo
Dirección Electrónica
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 2016
Director
Tribunal
Martino, João Antonio (Presidente)
Gimenez, Salvador Pinillos
Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Título en portugués
Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET).
Palabras clave en portugués
FinFET de corpo
Microeletrônica
MuGFET
Porta tripla
Radiação ionizante
Transistores
Resumen en portugués
O transistor de efeito de campo por aletas de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) é um dispositivo com aplicações comerciais e possui algumas vantagens sobre os FinFETs de porta tripla SOI (Silício sobre Isolante - Silicon on Insulator). Estas vantagens são devidas ao custo da lâmina mais competitivo e maior quantidade de fabricantes de lâmina de silício, além da compatibilidade com processos de tecnologias convencionais de substrato de silício e melhor dissipação térmica. Aplicações aeroespaciais estão sujeitas à incidência das radiações ionizantes de partículas e eletromagnéticas. Os efeitos permanentes das radiações ionizantes criam cargas positivas nos óxidos dos transistores. São afetados os óxidos de porta e os óxidos de isolação, podendo levar os transistores a degradação e falha. Neste trabalho foi avaliado o impacto das radiações ionizantes de prótons de 60 MeV em FinFETs de porta tripla de corpo. O seu desempenho elétrico em aplicações de CIs CMOS analógicos após as radiações ionizantes comparando-os com dispositivos não radiados. Esta radiação possui de uma energia radiante bem maior que as radiações ionizantes presentes nas regiões do espaço visando o estudo do pior caso. Por isso se estes dispositivos funcionarem com essas radiações ionizantes extremas, acreditamos que irão funcionar nas regiões que contêm as radiações ionizantes naturais. Foram estudados FinFET's do tipo-n e do tipo-p. Os dispositivos estudados foram irradiados não polarizados. Foram extraídas curvas da corrente de dreno em função da tensão aplicada na porta em baixos e altos campos elétricos longitudinais e verticais e avaliado o comportamento dos dispositivos nas regiões de corte e condução. Foi medida também a curva da corrente de dreno em função da tensão aplicada no dreno para a obtenção dos principais parâmetros analógicos, como o ganho de tensão intrínseco, a transcondutância máxima em saturação e a condutância de saída. Todas as curvas foram extraídas para FinFETs de porta tripla de corpo com deferentes dimensões de comprimentos de canal (35, 70, 130 e 1000 nm) e diferentes larguras das aletas (20, 130 e 1000 nm). Devido às cargas induzidas no óxido de isolação pelas radiações ionizantes de prótons, os dispositivos com larguras das aletas mais estreitas apresentaram altas correntes de fuga no dreno na região de corte, tanto com campo elétrico longitudinal decorrente de uma polarização de dreno de 50 mV, quanto para campo elétrico longitudinal decorrente de uma tensão de dreno de 800 mV. Foi observado também, reduções nos valores das tensões de limiar nos dispositivos radiados em torno de 50 mV nos dispositivos estudados quando comparado as condições dos dispositivos pré-radiados. Nos parâmetros analógicos, houve redução significativa no ganho intrínseco de tensão nos dispositivos do tipo-n com maior comprimento de canal após as radiações ionizantes, ao comparar com dispositivos não radiados. O ganho intrínseco de tensão nos dispositivos tipo-n não radiado com comprimento de canal de 1000 nm é em torno de 55 dB. Este valor foi reduzido para cerca de 40 dB nos dispositivos com comprimento de canal de 1000 nm após a radiação. A principal influência na degradação do ganho intrínseco de tensão se deve a alteração da condutância de saída nos dispositivos radiados com comprimento de canal de 1000 nm.
Título en inglés
Proton radiation effects in bulk FinFET triple gate.
Palabras clave en inglés
Bulk FinFET
MuGFET
Radiation
Triple gate
Resumen en inglés
The bulk triple gate fin field effect transistor (Bulk-FinFET) is a devie with comercial aplication and have some advantages versus triple gate SOI (silicon on insulator) FinFET. These advantages are due the low cost of wafer and more quantity of manufacturers; also process more compatible with conventional technologies of silicon substrate and better thermal dissipation. Aerospace applications are subject to particles and electromagnetic ionizing radiation. The permanent effects of ionizing radiation create positive charges on transistor oxide. The gate and isolation oxide are affect by ionizing radiation can lead degrade and failures. This work evaluates the influence of 60 MeV proton ionizing radiation in bulk FinFETs. The electrical performance on analogs CMOS ICs application after ionizing radiation when compared with non-radiated devices. This radiation has a radiant energy higher than ionizing radiation present on space regions, so this work looks the worst case. So if these devices work with these extreme ionizing radiations, these devices will work in natural environment. It was studied n type and p type FinFETs. The studied devices were irradiated non polarized. It were extracted figures of drain current in function of gate voltage in low and high, longitudinal and vertical electrical field, was evaluated the devices behavior on off and conduction region. The extracted, also, the figure of drain in function of gate voltage to obtain the main analog parameters, like intrinsic voltage gain, maximum transconductance in saturation and output conductance. All the figures was extracted for tri gate bulk FinFETs with different channel length dimensions (35, 70, 130 and 1000 nm) and different weight fins (20, 130 and 1000 nm). Due induced charges on isolation oxide by proton ionizing radiation, the devices with narrow fins presented high leakage current on off region, in both longitudinal electrical fields, with 50 mV and 800mV polarization in drain voltage. It was observed also, reduction on threshold voltage on radiated devices around 50 mV if compared with non-radiated devices. In the analog parameters has a significant reduction on voltage intrinsic gain on largest channel length n type devices after ionizing radiation when compared with non-radiated devices. The intrinsic voltage gain on non-radiated n type devices with 1000 nm of channel length is around of 55 dB and this value was reduced to 40 dB on 1000 nm of channel length radiated devices. The main influence on voltage intrinsic gain degradation due to change on output conduction on 1000 nm of channel length radiated devices.
 
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Fecha de Publicación
2017-01-24
 
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