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Disertación de Maestría
DOI
10.11606/D.43.2000.tde-02082013-150131
Documento
Autor
Nombre completo
Gustavo Martini Dalpian
Dirección Electrónica
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 2000
Director
Tribunal
Fazzio, Adalberto (Presidente)
Antonelli, Alex
Quivy, Alain Andre
Título en portugués
Estudo dos Estágios Iniciais do Crescimento de Ge Sobre Si(100)
Palabras clave en portugués
Crescimento de Semicondutores
Ge sobre Si(100)
Método de Primeiros Princípios
Resumen en portugués
A superfície (100) do Silício é estudada através de métodos de primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade e no Método dos Pseud.opotenciais. Estudamos as propriedades eletrônicas e estruturais das principais reconstruções desta superfície. Obtivemos os principais sítios ligantes para pequenas estruturas de Germânio adsorvidas sobre ela. Para um átomo adsorvido o sítio mais estável encontrado foi o sítio M, semelhante a resultados existentes na literatura. A diferença está na configuração dos dímeros de Si da superfície. Observamos que diferentes configurações destes dímeros nos forneciam diferentes sítios metaestáveis. O deslocamento dos dímeros da superfície é tratado então como um novo grau de liberdade para a adsorção de átomos, além da posição destes sobre a superfície. Também foi estudada a adsorção de alguns trímeros de Ge sobre a superfície, sendo que a estrutura encontrada como sendo a mais estável concorda muito bem com outros resultados teóricos e experimentais.
Título en inglés
Study of Early Growth Stage of Ge On Si (100).
Palabras clave en inglés
First Principles Method.
Ge on Si (100)
Growth of Semiconductors
Resumen en inglés
The (100) surface of Silicon is studied using First Principles methods, based on the Density Functional Theory and on the Pseudopotential method. We obtained the electronic and structural properties of the most important reconstructions of this surface and we also obtained the main bonding sites for the adsorption of small Ge structures on the surface. Site M was found as being the most stable for the monomers adsorption, similar to previous results on the literature. The main difference is on the buckling of the silicon surface dimers. We observed that different configurations of these buckling gave us different metastable adsorption sites. We then insert a new degree of freedom for this kind of adsorption, related to the buckling of the silicon surface dimers. \Me also studied the adsorption of Ge trimers on the surface, and the structure found as being the most stable agree very well with previous theoretical and experimetal results.
 
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30842DALPIAN.pdf (3.18 Mbytes)
Fecha de Publicación
2013-08-02
 
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