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Thèse de Doctorat
DOI
10.11606/T.43.2017.tde-06062017-150805
Document
Auteur
Nom complet
Ecio Jose Franca
Adresse Mail
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Paulo, 1996
Directeur
Jury
Chacham, Hélio
Emmel, Paulo Daniel
Fazzio, Adalberto
Leite, Jose Roberto
Meneses, Eliermes Arraes
Titre en portugais
ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
Mots-clés en portugais
Circuitos eletrônicos
Estrutura eletrônica
Resumé en portugais
Apresentamos aqui resultados de propriedades eletrônicas relacionadas à defeitos complexos em GaAs. Os cálculos autoconsistentes da estrutura eletrônica foram feitos usando o método do espalhamento múltiplo X a junto com o modelo do aglomerado molecular e com os orbitais de superfície saturados com a esfera de Watson.
Titre en anglais
Electron structure of boron-isolated impurities and pairs of boron-silicon and transition metal impurities - vacancy in 'GA'AS'
Mots-clés en anglais
Electron circuits
Electron structure
Resumé en anglais
We repor! resu/ts for e/ectronic properties related to complex defects in GaAs. The self-consistent-fie/d electronic structure ca/culations were performed by using the multiplescattering X a method within framework of Watson-sphere-terminated molecular cluster model. We have simulated, first, the electronic states of the 26-atom clusters: 26Td/1As (tetrahedral interstitial As centered cluster), 26Td/1Ga (tetrahedral interslitial Ga cenlered clusle!) and 26C3v (trigonal cluster centered in the middle of a Ga-As bond).
 
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1996Franca.pdf (43.23 Mbytes)
Date de Publication
2017-06-06
 
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  • França, Ecio J., and Assali, L V C. Chemical Trends in Electronic Properties of Arsenic Vacancy-3d Transition Metal Pairs in Gallium Arsenide [doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.258-263.893]. Materials Science Forum [online], 1997, vol. 258-263, p. 893-898.
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