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Tese de Doutorado
DOI
10.11606/T.43.2017.tde-06062017-150805
Documento
Autor
Nome completo
Ecio Jose Franca
E-mail
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Paulo, 1996
Orientador
Banca examinadora
Chacham, Hélio
Emmel, Paulo Daniel
Fazzio, Adalberto
Leite, Jose Roberto
Meneses, Eliermes Arraes
Título em português
ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
Palavras-chave em português
Circuitos eletrônicos
Estrutura eletrônica
Resumo em português
Apresentamos aqui resultados de propriedades eletrônicas relacionadas à defeitos complexos em GaAs. Os cálculos autoconsistentes da estrutura eletrônica foram feitos usando o método do espalhamento múltiplo X a junto com o modelo do aglomerado molecular e com os orbitais de superfície saturados com a esfera de Watson.
Título em inglês
Electron structure of boron-isolated impurities and pairs of boron-silicon and transition metal impurities - vacancy in 'GA'AS'
Palavras-chave em inglês
Electron circuits
Electron structure
Resumo em inglês
We repor! resu/ts for e/ectronic properties related to complex defects in GaAs. The self-consistent-fie/d electronic structure ca/culations were performed by using the multiplescattering X a method within framework of Watson-sphere-terminated molecular cluster model. We have simulated, first, the electronic states of the 26-atom clusters: 26Td/1As (tetrahedral interstitial As centered cluster), 26Td/1Ga (tetrahedral interslitial Ga cenlered clusle!) and 26C3v (trigonal cluster centered in the middle of a Ga-As bond).
 
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1996Franca.pdf (43.23 Mbytes)
Data de Publicação
2017-06-06
 
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  • França, Ecio J., and Assali, L V C. Chemical Trends in Electronic Properties of Arsenic Vacancy-3d Transition Metal Pairs in Gallium Arsenide [doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.258-263.893]. Materials Science Forum [online], 1997, vol. 258-263, p. 893-898.
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