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Disertación de Maestría
DOI
10.11606/D.43.2017.tde-13032017-141121
Documento
Autor
Nombre completo
Joseanne Gomes Angelo
Dirección Electrónica
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 1989
Director
Título en portugués
NEUTRALIZACAO DOS NIVEIS DE IMPUREZA DE Cu,Ag E Au EMSILICIO POR HIDROGENIO
Palabras clave en portugués
Semicondutores
Resumen en portugués
Este trabalho consiste no estudo da neutralização de centros associados a níveis profundos em silício, através da introdução de hidrogênio atômico no sistema. Foi utilizado o modelo de aglomerado molecular com saturação dos orbitais de superfície pela esfera de Watson dentro do formalismo do método do Espalhamento Múltiplo-X. Estudamos inicialmente as impurezas isoladas substitucionais: Si:l=lu, Si:l=lg e Si:Cu, com intuito de observarmos os efeitos causados pela introdução dos hidrogênios atômicos. Os complexos estudados envolvem quatro átomos de hidrogênio situados nos primeiros interstícios tetraédricos ao centro CSi:l=luH,, Si:l=lgH, e Si:CuH,) . Para investigar a passivação, fizemos cálculos auto consistentes para várias configurações atômicas. Em cada configuração os 4 átomos de hidrogênio foram deslocados simetricamente em torno da impureza substitucional. Para cada nova configuração, os sistemas foram também estudados nos estados de carga negativo e positivo, que representamos por CSi:XH,)- e CSi:XH,)o. O modelo microscópico proposto mostrou-se apropriado para explicar os mecanismos da neutralização de defeitos profundos em semicondutores.
Título en inglés
Neutralization of impurity levels of 'CU', 'AG' and 'AU' in silicon by hydrogen
Palabras clave en inglés
Semiconductors
Resumen en inglés
In this work we study the neutralization of deep level impurities in silicon by introducing atomic hydrogen in the system. The calculations were carried out by using the Mulliple Scattering-X~ theory within the framework of lhe Watson-sphere-terminated molecular cluster model. We studied lhe substitutional isolated impurities: Si:l=lu, effects of the Si:l=lg and Si:Cu in order to investigate the incorporation of atomic hydrogen. The clusters comprise 16 silicon aloms at the regular lattice sites and 4 hydrogen atoms, at the tet rahedral interstitial sites which surrounds the impurity placed al cluster (5i:l=luH4 , Si:l=lgH4 and Si:CuH4 ). In order to investigate carry out self-consistent calculations configurations. In each configuration the center o f t h e the passivation we for various atomic the f ou r hydrogen atoms were displaced symmetrically CTd) around the substitutional impurities. The systems positive charge states. were analysed This microscopic mo de l was in negative and suitable in explaining the neutralization mechanism of deep Level induced by a substitutional impurities in semiconductors.
 
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1989Antonini.pdf (21.22 Mbytes)
Fecha de Publicación
2017-03-16
 
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