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Disertación de Maestría
DOI
10.11606/D.43.2017.tde-23102017-143621
Documento
Autor
Nombre completo
Valter César Montanher
Dirección Electrónica
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 1997
Director
Título en portugués
Propriedades Óticas de Poços Quânticos de GaAs/AlGaAs
Palabras clave en portugués
Matéria Condensada ; Semicondutores
Resumen en portugués
Neste trabalho investigamos as propriedades óticas de poços quânticos de GaAs/GaAlAs, crescidos no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do Instituto de Física da USP com a técnica de MBE ("Molecular Beam Epitaxy"), utilizando as técnicas experimentais de foto luminescência (PL) e fotoluminescência-excitação (PLE). Analisamos duas amostras de poços quânticos não dopados crescidas sob diferentes condições experimentais e com diferentes parâmetros estruturais. As amostras têm a mesma largura nominal de poço (Lw ~c I 00 Á) e diferem em outros parâmetros, sendo que os mais importantes destes são a largura nominal da barreira (L,,) e a interrupção do crescimento nas interfaces de GaAs/GaAlAs. A amostra #241 (#419) obtida com interrupção de crescimento (sem interrupção de crescimento) tem largura nominal da barreira L"= 500 Á(Lh c" 300 Á)
Título en inglés
Optical properties of GaAs / AlGaAs semiconductive heterostructures
Palabras clave en inglés
Condensed Matter; Semiconductors
Resumen en inglés
In this work we investigated the optical properties of GaAs/GaAlAs quantum wells grown by MBE (Molecular Beam Epitaxy) at the Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do Instituto de Física da USP, using photoluminescence and photoluminescence-excitation techniques. Two non-intentionally doped samples grown under difterent experimental conditions and with dift'erent structural limit were analysed. The samples had the same nominal quantum well width (Lw = I 00 Â) but different nominal barrier width (Lb) and the growth-intenuption time at the interfaces. The sample #241 (#419) was grown with (without) growth-interruption at both interfaces of the quantum well and has nominal barrier width ~. = 500 Â (Lb = 300 Â)
 
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1996mantabher.pdf (6.06 Mbytes)
Fecha de Publicación
2017-10-24
 
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