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Tesis Doctoral
DOI
10.11606/T.43.1997.tde-27022014-154140
Documento
Autor
Nombre completo
Maria Cláudia Cerchiari Custódio
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 1997
Director
Tribunal
Hernandes, Antonio Carlos (Presidente)
Baldochi, Sonia Licia
Balzuweit, Karla
Leite, Jose Roberto
Missell, Frank Patrick
Título en portugués
Síntese e Crescimento de Materiais Termoelétricos: Bi2Te3 e Soluções Sólidas de (Bi(1-x)Sbx)2 Te3
Palabras clave en portugués
Matéria condensada
Termoeletricidade
Resumen en portugués
Neste trabalho desenvolvemos um estudo detalhado do processo de síntese e preparação de cristais de Bi IND 2 Te IND 3 e (Bi IND (l-x)Sb IND x) Te IND 3, bem como uma abordagem qualitativa sobre a variação do coeficiente Seebeck em função do comprimento destes cristais. Preparamos cristais com condutividade tipo-p e tipo-n pela técnica de Bridgman em um sistema com gradiente de temperatura axial fixo (29 °C/cm), e em outro em que este parâmetro poderia ser alterado facilmente. Os cristais de telureto de bismuto tipo-p preparados no primeiro equipamento foram axialmente homogêneos em composição e coeficiente Seebeck, cuja intensidade média medida foi de 220 V/K. Os tipo-n apresentaram uma fase rica em telúrio em todo o seu comprimento e uma diminuição gradativa do coeficiente Seebeck. O aparecimento desta fase pode ser associado à instabilidade da interface sólido-líquido ou a um processo de superresfriamento constitucional localizado. Por outro lado, em nenhum dos cristais de Bi IND 2 Te IND 3 e (Bi IND (l-x)Sb IND x) Te IND 3, com condutividade tipo-p e n preparados no segundo sistema, houve presença da fase rica em telúrio e o máximo valor do coeficiente Seebeck foi superior ao relatado na literatura.
Título en inglés
Synthesis Growth Thermoelectric Materials Bi2Te3 Solid Solutions (Bi (1-x) Sbx)2 Te3
Palabras clave en inglés
Condensed matter
Thermoelectricity
Resumen en inglés
ln this work, a detailed study on the synthesis and crystal growth process of Bi2Te3 e (Bi(l-x)Sbx)2 Te3 was carried out. The dependence of the Seebeck coefficient variation on the length crystal has been discussed in a qualitative way. P-type and n-type crystals were grown by the Bridgman technique using two different systems. In one system the axial temperature gradient was fixed, while in the other it could be adequately changed. The p-type bismuth tellurides grown in the first equipment were axially homogeneous in composition and Seebeck coefficient. Its average measured value was about 220 V/K. The n-type bismuth telluride presented a tellurium-rich phase in all of its extension and a decreasing Seebeck coefficient. The tellurium-rich phase can be related to solid-liquid interface instability or a constitucional supercooling. On the other hand, no Te-rich phase was detected in Bi2Te3 e (Bi(l-x)Sbx)2Te3 crystals grown in the second equipment. The maximum measured Seebeck coefficient of these materials was higher than the literature reported ones.
 
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45494Custodio.pdf (50.49 Mbytes)
Fecha de Publicación
2014-02-28
 
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