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Tese de Doutorado
DOI
10.11606/T.43.1996.tde-28022014-115919
Documento
Autor
Nome completo
Pedro Paulo de Mello Venezuela
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Paulo, 1996
Orientador
Banca examinadora
Fazzio, Adalberto (Presidente)
Antonelli, Alex
Assali, Lucy Vitoria Credidio
Chacham, Hélio
Fantini, Marcia Carvalho de Abreu
Título em português
Propriedades Eletrônicas e Estruturais de Elementos do Grupo V em Semincondutores Amorfos
Palavras-chave em português
Circuitos eletrônicos
Semicondutores
Resumo em português
Apresentamos um estudo sistemático das propriedades eletrônicas e estruturais dos elementos N, P e AS em SI e GE amorfos. Primeiramente, utilizamos o método de Monte Carlo para gerar as configurações amorfas iniciais. Nesta etapa as interações atômicas são descritas pelos potencias de Tersoff. A partir do modelo inicial para os sistemas desordenados, as propriedades eletrônicas e estruturais são determinadas usando a teoria do funcional da densidade e os pseudopotenciais de Bachelet-Hamann-Schlüter. Concluímos que as impurezas de P e AS são estáveis em sítios tricoordenados e metaestáveis em sítios tetracoordenados para os dois sistemas hospedeiros. Por outro lado a impureza de N apresenta um comportamento diferente. Este átomo é estável em sítios tricoordenados para ambos os hospedeiros, mas em sítios tetracoordenados ele é instável no a-SI e metaestável no a-GE. Discutimos a relevância de nossos resultados relacionados com a dopagem tipo-n de semicondutores amorfos hidrogenados.
Título em inglês
Structural and Electronic Properties of Group V elements in Amorphous Semiconductors
Palavras-chave em inglês
Electronic circuits
Semiconductors
Resumo em inglês
The electronic and structural properties of the elements N, P and AS in amorphous SI and GE are systematically investigated. The calculation procedure is based on two approaches. First, we have used the Monte Carlo method to generate the initial amorphous configurations. A reliable description of the atomic interaction is provided by using the Tersoff potentials. Having the initial model for the amorphous structure, we analyzed the electronic and structural configurations within the framework of the density-functional theory and the Bachelet-Hamann-Schlüter pseudopotentials. We found that the P and AS impurities are stable in 3-fold coordinated sites and metastable in 4-fold coordinated sites for both host systems. On the other hand, the N impurity presents a different behavior. This atom is stable in 3-fold coordinated sites for both host systems but in 4-fold coordinated sites it is unstable in a-SI and metastable in a-GE. The relevance of these results for the n-type doping in hydrogenated amorphous semiconductors is discussed.
 
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Data de Publicação
2014-03-12
 
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