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Disertación de Maestría
DOI
10.11606/D.43.1990.tde-28042014-160842
Documento
Autor
Nombre completo
Francisco de Paula Camargo
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 1990
Director
Tribunal
Fazzio, Adalberto (Presidente)
Figueiredo Neto, Antonio Martins
Pereira Neto, Jose Rezende
Título en portugués
Pseudo jahn-teller versus reconstrucao quimica : oxigenio em silicio.
Palabras clave en portugués
Correlação Eletrônica
Defeitos em semicondutores
Impureza O (Oxigênio) em Si (Silício)
Método: INDO (Intermediate Neglect of Differential Overlap) CI (Configuration Interaction)
Resumen en portugués
Estudamos neste trabalho o comportamento da impureza oxigênio em rede cristalina de silício, usando primeiramente o método INDO (lntermediate Neglect of Differential Overlap) com parametrização espectroscópica e incluímos os efeitos de muitos elétrons via Método CI-(Interacão de Configuração). Fazemos uma análise sobre as possíveis origens do posicionamento não-central (off-center) dessa impureza, - se decorrente de uma distorsão Pseudo Jahn-Teller: - se originária de um CR Reconstrução Química. Quando o átomo de Oxigênio é deslocado ao longo da direção [100] ocupa um sitio de mínimo absoluto. O oxigênio introduz no gap de banda um orbital anti-ligante de simetria a1 totalmente ocupado, situação semelhante à dos anti-sitios em materiais semi-condutores III-V. Estudamos também o comportamento dessa impureza quando a mesma é deslocada ao longo da direção [111], verificando que é criada uma posição de Instabilidade mas, os auto-valores têm comportamento não esperado para orbitais anti-ligantes.
Título en inglés
Pseudo Jahn-Teller versus chemical reconstruction: oxygen in silicon.
Palabras clave en inglés
Defects in semiconductors
Electronic Correlation
Impurity O (Oxygen) on Si (Silicon)
Method: INDO (Intermediate Neglect of Differential Overlap) - CI (Configuration Interaction)
Resumen en inglés
In this work we studied the Oxygen impurity in Silicon. The calculations were performed using a semi-empirical method (INDO/S) with Configuration Interaction to account for many-electron effects. We analyse the origin of the off-center position for substitutional oxygen. Pseudo Jahn-Teller distortion or Chemical Rebonding effects. The oxygen introduces an a1 anti-bonding state in the forbidden band-gap similar to anti-site defects in III-V materials. To answer the question about distortion, we also studied oxygen dislocation in the (111) direction and we obtained a metastable state but his eigen-value has a non-expected behavior for anti-bonding orbitals.
 
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42256Emediato.pdf (4.88 Mbytes)
Fecha de Publicación
2014-05-05
 
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