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Dissertação de Mestrado
DOI
10.11606/D.43.1990.tde-28042014-160842
Documento
Autor
Nome completo
Francisco de Paula Camargo
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Paulo, 1990
Orientador
Banca examinadora
Fazzio, Adalberto (Presidente)
Figueiredo Neto, Antonio Martins
Pereira Neto, Jose Rezende
Título em português
Pseudo jahn-teller versus reconstrucao quimica : oxigenio em silicio.
Palavras-chave em português
Correlação Eletrônica
Defeitos em semicondutores
Impureza O (Oxigênio) em Si (Silício)
Método: INDO (Intermediate Neglect of Differential Overlap) CI (Configuration Interaction)
Resumo em português
Estudamos neste trabalho o comportamento da impureza oxigênio em rede cristalina de silício, usando primeiramente o método INDO (lntermediate Neglect of Differential Overlap) com parametrização espectroscópica e incluímos os efeitos de muitos elétrons via Método CI-(Interacão de Configuração). Fazemos uma análise sobre as possíveis origens do posicionamento não-central (off-center) dessa impureza, - se decorrente de uma distorsão Pseudo Jahn-Teller: - se originária de um CR Reconstrução Química. Quando o átomo de Oxigênio é deslocado ao longo da direção [100] ocupa um sitio de mínimo absoluto. O oxigênio introduz no gap de banda um orbital anti-ligante de simetria a1 totalmente ocupado, situação semelhante à dos anti-sitios em materiais semi-condutores III-V. Estudamos também o comportamento dessa impureza quando a mesma é deslocada ao longo da direção [111], verificando que é criada uma posição de Instabilidade mas, os auto-valores têm comportamento não esperado para orbitais anti-ligantes.
Título em inglês
Pseudo Jahn-Teller versus chemical reconstruction: oxygen in silicon.
Palavras-chave em inglês
Defects in semiconductors
Electronic Correlation
Impurity O (Oxygen) on Si (Silicon)
Method: INDO (Intermediate Neglect of Differential Overlap) - CI (Configuration Interaction)
Resumo em inglês
In this work we studied the Oxygen impurity in Silicon. The calculations were performed using a semi-empirical method (INDO/S) with Configuration Interaction to account for many-electron effects. We analyse the origin of the off-center position for substitutional oxygen. Pseudo Jahn-Teller distortion or Chemical Rebonding effects. The oxygen introduces an a1 anti-bonding state in the forbidden band-gap similar to anti-site defects in III-V materials. To answer the question about distortion, we also studied oxygen dislocation in the (111) direction and we obtained a metastable state but his eigen-value has a non-expected behavior for anti-bonding orbitals.
 
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42256Emediato.pdf (4.88 Mbytes)
Data de Publicação
2014-05-05
 
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