Neste trabalho simulamos computacionalmente a autodifusão de Silício e de Germânio na liga desordenada de 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X', usando o método de Monte Carlo Cinético (KMC). Trabalhamos numa faixa de temperatura de 1137K a 1323K, e com concentrações de Germânio na liga correspondentes a X=0,10; 0,30; 0,50; 0,70 e 0,90. Além disso investigamos a autodifusão de Si em Silício e de Ge em Germânio puro. Temos como hipótese de trabalho que o mecanismo de autodifusão na liga é mediado por vacâncias, o que deve ser razoável para concentrações de Ge maiores que 30%. Todas as barreiras de energia necessárias ao KMC foram extraídas de cálculos ab initio por Venezuela et al. [1]. Em particulas, estamos interessados em analisar a hipótese experimental de Zangnberg et al. [2] de que para concentrações superiores a 50% de Ge na matriz, os átomos de Germânio estariam difundindo-se de modo semelhante a sua difusão em Ge puro. Observamos que para esta região de concentração. os átomos de Ge na primeira vizinhança. Além disto, obtivemos um aumento linear da energia de ativação para autodifusão do Ge na liga a medida que a concentração de Ge diminui. Este comportamento está em bom acordo com os resultados experimentais recentes de Strohm et al [3]

Theoretical study of Si and Ge self-diffusion in the disordered alloy of 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'