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Disertación de Maestría
DOI
10.11606/D.54.1992.tde-15042014-113338
Documento
Autor
Nombre completo
José Camilo Barbosa
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Carlos, 1992
Director
Tribunal
Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo (Presidente)
Fazzio, Adalberto
Nunes, Luiz Antonio de Oliveira
Título en portugués
Aproximação de Thomas-Fermi aplicada a estruturas semicondutoras delta-dopadas
Palabras clave en portugués
Semicondutores delta-dopadas
Super-redes
Thomas-Fermi
Resumen en portugués
Neste trabalho usamos a teoria de Thomas-Fermi para estudar as propriedades eletrônicas de semicondutores planarmente dopados, ou delta-dopados, com densidade de dopantes de moderada a alta. O principal objetivo do trabalho é a verificação de que esta teoria apresenta muito bons resultados com os do método auto-consistente na aproximação de Hartree quando aplicada a este tipo de problema. Verificamos que muitas situações físicas relacionadas a semicondutores delta-dopados podem ser descritas de uma maneira simples e com muito bons resultados. Estudamos o problema de um poço isolado e o problema da super-rede, comparando os resultados de Thomas-Fermi e Hartree.
Título en inglés
The Thomas-Fermi theory of Delta-Si:GaAs superlattices
Palabras clave en inglés
Delta-doped semiconductors
Superlattices
Thomas-Fermi
Resumen en inglés
In this work we have used the Thomas-Fermi theory to study the electronic properties of planar doped semiconductors, or delta-doping, with a moderate to high density of dopants. The main aim of this work is to verify that this theory gives very good results when compared with the self-consistent method in the Hartree aproximation. We have checked that many physical situations related to delta-doping can be described in a simple manner and also with very good results. We have studied the single delta problem and the superlattice problem and we have compared the Thomas-Fermi´s and Hartree´s results.
 
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Fecha de Publicación
2014-04-16
 
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