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Mémoire de Maîtrise
DOI
10.11606/D.54.1992.tde-15042014-113338
Document
Auteur
Nom complet
José Camilo Barbosa
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Carlos, 1992
Directeur
Jury
Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo (Président)
Fazzio, Adalberto
Nunes, Luiz Antonio de Oliveira
Titre en portugais
Aproximação de Thomas-Fermi aplicada a estruturas semicondutoras delta-dopadas
Mots-clés en portugais
Semicondutores delta-dopadas
Super-redes
Thomas-Fermi
Resumé en portugais
Neste trabalho usamos a teoria de Thomas-Fermi para estudar as propriedades eletrônicas de semicondutores planarmente dopados, ou delta-dopados, com densidade de dopantes de moderada a alta. O principal objetivo do trabalho é a verificação de que esta teoria apresenta muito bons resultados com os do método auto-consistente na aproximação de Hartree quando aplicada a este tipo de problema. Verificamos que muitas situações físicas relacionadas a semicondutores delta-dopados podem ser descritas de uma maneira simples e com muito bons resultados. Estudamos o problema de um poço isolado e o problema da super-rede, comparando os resultados de Thomas-Fermi e Hartree.
Titre en anglais
The Thomas-Fermi theory of Delta-Si:GaAs superlattices
Mots-clés en anglais
Delta-doped semiconductors
Superlattices
Thomas-Fermi
Resumé en anglais
In this work we have used the Thomas-Fermi theory to study the electronic properties of planar doped semiconductors, or delta-doping, with a moderate to high density of dopants. The main aim of this work is to verify that this theory gives very good results when compared with the self-consistent method in the Hartree aproximation. We have checked that many physical situations related to delta-doping can be described in a simple manner and also with very good results. We have studied the single delta problem and the superlattice problem and we have compared the Thomas-Fermi´s and Hartree´s results.
 
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Date de Publication
2014-04-16
 
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