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Mémoire de Maîtrise
DOI
10.11606/D.54.1993.tde-15042014-140240
Document
Auteur
Nom complet
Virgílio de Carvalho dos Anjos
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Carlos, 1993
Directeur
Jury
Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo (Président)
Brum, Jose Antonio
Degani, Marcos Henrique
Titre en portugais
Espalhamento Raman eletrônico via flutuações de densidade de spin em super-redes δ-Si:GaAs
Mots-clés en portugais
δ-Si:GaAs
Espalhamento Raman
Super-redes
Resumé en portugais
Neste trabalho apresentamos um cálculo teórico para o espalhamento Raman eletrônico via flutuações de densidade de spin de uma super-rede δ-dopada de GaAs. A estrutura eletrônica da super-rede é determinada utilizando-se a teoria do funcional densidade dentro da aproximação de densidade local. O cálculo da seção de choque revela que sob condições de extrema ressonância existe uma forte dependência das formas de linha com a freqüência de excitação indicando a coexistência de um gás bi e tri-dimensional de elétrons nesta estrutura. Os resultados obtidos mostram excelente acordo entre teoria e experimento.
Titre en anglais
Electronic Raman spectrum of spin-density fluctuations in δ-Si:GaAs superlattices
Mots-clés en anglais
δ-Si:GaAs
Raman scattering
Superlattices
Resumé en anglais
In this work we theoretically investigate the electronic Raman scattering by spin density fluctuations in periodically δ-doped GaAs. The electronic structure of the superlattice is determined using density functional theory within the local-density-functional approximation. The calculation of the cross section reveals a strong dependence of the line shape on the exciting frequency under conditions of extreme resonance, which indicates the coexistence of a two and three-dimensional electron gas. The results show an excellent agreement between theory and experiment.
 
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Date de Publication
2014-04-16
 
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