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Mémoire de Maîtrise
DOI
10.11606/D.54.1989.tde-25062009-163801
Document
Auteur
Nom complet
Jose Fernando Fragalli
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Carlos, 1989
Directeur
Jury
Bagnato, Vanderlei Salvador (Président)
Li, Maximo Siu
Santos, Paulo Ventura
Titre en portugais
Estudo do silício amorfo hidrogenado produzido por descarga luminescente.
Mots-clés en portugais
Descarga luminescente
Propriedades elétricas
Raios-X
Silício amorfo hidrogenado
Resumé en portugais
Silício amorfo hidrogenado depositado por descarga luminescente tem adquirido posição de destaque entre os vários materiais foto-sensíveis, principalmente devido à sua fácil obtenção e versatilidade em propriedades. Neste trabalho, preparamos amostras de a-Si:H (Silício amorfo hidrogenado) utilizando o método de descarga de RF em atmosfera de gás SiH4, utilizando como substrato vidro e silício cristalino. As amostras depositadas sobre vidro foram utilizadas para estudo de formação de defeitos meta-estáveis no filme morfo devido a exposição à Raios-X. Os mecanismos de formação e recuperação dos defeitos foram analisados através do estudo da fotocondutividade, revelando a possível natureza de tais defeitos. Acreditamos que se trata da quebra de ligações Si-H e Si-Si, formando armadilhas para elétrons condutores. Analisamos a resposta espectral da fotocondutividade e absorção óptica, que forneceram informações a respeito do gap óptico do material. As amostras preparadas sobre c-Si foram utilizadas para a espectroscopia no infra-vermelho, onde analisamos o espectro das vibrações no material, bem como procuramos evidências da existência de hidrogênio molecular.
Titre en anglais
Study of hydrogenated amorphous silicon obtained by glow discharge
Mots-clés en anglais
Electrical properties
Glow discharge
Hidrogenated amorphous silicon
X-Ray
Resumé en anglais
Hydrogenated amorphous silicon deposited by the glow discharge technique has been prominent among several photosensitive materials, mainly due to their easy obtention process and versatile properties. In this work, we have prepared hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) samples using the RF discharge method in SiH gaseous atmosphere. We have used glass and crystalline silicon as substrate. The samples which were deposited on glasses were used for the study on the creation of metastables defects in amorphous films due to X-Ray exposition. The creation and annealing process were analyzed through photoconductivity measurements which showed the possible origin of such defects. We believe that this behavior takes place due the breaking of Si-Si and Si-H bounds, which build up traps for free electrons. We have analyzed the photoconductivity spectral response and the optical absorption which give us information about the optical gap of this material. The samples which were prepared on crystalline silicon materials were used for infra-red spectroscopy, were we have analyzed the vibration spectra of a-Si:H, and also have been looking for evidences about the existence of molecular hydrogen.
 
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Date de Publication
2009-08-14
 
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