• JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
 
  Bookmark and Share
 
 
Mémoire de Maîtrise
DOI
10.11606/D.54.1983.tde-02062015-174414
Document
Auteur
Nom complet
Sonia Guimaraes
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Carlos, 1983
Directeur
Titre en portugais
Desenvolvimento da técnica elipsométrica para caracterização ótica de filmes finos
Mots-clés en portugais
Não disponível
Resumé en portugais
Neste trabalho é apresentado a montagem e desenvolvimento de um elipsômetro fotométrico, com o qual se pode fazer a caracterização ótica de filmes finos, ou seja, medir o índice de refração e a espessura, independentemente se o filme é transparente ou não. O primeiro objetivo foi estudar filmes antirefletores sobre células solares de sílico monocristalino, mas o método permite caracterizar qualquer tipo de filme sobre qualquer substrato. O funcionamento desse equipamento está baseado na elipsometria, que consiste em uma técnica ótica que explora a transformação da polarização de um feixe de luz, refletido pelo filme em estudo. Com os dados fornecidos por essa técnica e com a ajuda de um computador pode-se determinar o índice de refração real para filmes transparentes e complexos (parte real e imaginária) para filmes absorventes, assim como a espessura. Obtivemos como a parte real do índice de refração do dióxido de estanho R1 = (1,95 ± 0,03), para o dióxido de titânio R1= (2,42 ± 0,02), para o sequióxido de alumínio R1= 1,54 e R1= 1,32 para o difluoreto de magnésio, que estão perfeitamente de acordo com os resultados publicados na literatura
Titre en anglais
Not available
Mots-clés en anglais
Not available
Resumé en anglais
In this work we show the construction of an ellipsometer wich allows us to do the optical characterization of thin films, the measurement of the refraction index and thickness for any film transparency. This ellipsometer was used to study antireflection coatings for monocrystaline silicon solar cells. The principle of functioning is based in the variation of the polarization of light reflected by a film. With this technique and using a computer was possible to determine the thickness of the film, the real or complex refraction index for transparent or absorving films respectively. The results for tin oxide (n= 1,95 ± 0,03), titanium oxide (n= 2,42 ± 0,02), aluminium oxide (n= 1,54) and magnesium fluoride (n= 1,32), are in good agreement with values published in the literature
 
AVERTISSEMENT - Regarde ce document est soumise à votre acceptation des conditions d'utilisation suivantes:
Ce document est uniquement à des fins privées pour la recherche et l'enseignement. Reproduction à des fins commerciales est interdite. Cette droits couvrent l'ensemble des données sur ce document ainsi que son contenu. Toute utilisation ou de copie de ce document, en totalité ou en partie, doit inclure le nom de l'auteur.
SoniaGuimaraesM.pdf (4.58 Mbytes)
Date de Publication
2015-06-12
 
AVERTISSEMENT: Apprenez ce que sont des œvres dérivées cliquant ici.
Tous droits de la thèse/dissertation appartiennent aux auteurs
Centro de Informática de São Carlos
Bibliothèque Numérique de Thèses et Mémoires de l'USP. Copyright © 2001-2020. Tous droits réservés.