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Dissertação de Mestrado
DOI
10.11606/D.54.1993.tde-02122014-171557
Documento
Autor
Nome completo
Antonio Carlos de Castro
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Carlos, 1993
Orientador
Banca examinadora
Andreeta, Jose Pedro (Presidente)
Blak, Ana Regina
Eiras, José Antonio
Título em português
Desenvolvimento de um equipamento para crescimento de monocristais metálicos e semicondutores por fusão aplicação em antimoneto de indio
Palavras-chave em português
Não disponível
Resumo em português
Construímos um forno para preparação de cristais metálicos e semicondutores, com ponto de fusão de ate 600 °C pela técnica de puxamento. O sistema foi testado com o crescimento de cristais de antimoneto de indio de alta pureza com diâmetros de ate 17mn. Esse material foi caracterizado e utilizado na construção de um protótipo de detetor fotocondutor de infravermelho que apresentou responsividade compatível com a calculada teoricamente. Apresentamos uma revisão das propriedades do antimoneto de indio, da teoria de crescimento por puxamento e da teoria dos detetores fotocondutores. O equipamento, os sistemas de controle e os procedimentos sao descritos em detalhes permitindo sua reprodução. Descrevemos, também, os sistemas montados para a caracterização elétrica dos cristais e de medida de responsividade do detetor
Título em inglês
Not available
Palavras-chave em inglês
Not available
Resumo em inglês
We have constructed a Czochralski growth furnace for metals and semiconductors with melting point up to 600 °C. The system was tested with the growth of indium antimonide single crystals of high purity and diameters up to 17mm. A infrared fotoconductive detector was built with this material and his performance was found to be in agreement with theory. We present a review of the indium antimonide proprieties, of the melt growth theory and of the fotoconductive detectors theory. Equipment, control systems and procedures are described in details allowing their reproduction. The systems for electrical caracterization of the crystals and detectors are described too
 
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Data de Publicação
2014-12-03
 
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