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Mémoire de Maîtrise
DOI
10.11606/D.54.1986.tde-13102009-111526
Document
Auteur
Nom complet
Luis Vicente de Andrade Scalvi
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Carlos, 1986
Directeur
Titre en portugais
Simulação numérica da fase líquida do crescimento de silício pelo método Czocharalski.
Mots-clés en portugais
Czochralski
Elementos finitos
Fase líquida
Silício
Simulação numérica
Resumé en portugais
Visando compreender os fluxos na fase líquida do crescimento de silício pelo método Czochralski, é feita a Simulação Numérica do silício fundido, resolvendo-se as equações que governam o fenômeno da convecção forçada no fluido: Balanço de Quantidade de Movimento e Balanço de Massa. A técnica numérica escolhida é a de Elementos Finitos, onde é utilizada a formulação de Galerkin, com aproximações quadráticas nas componentes da velocidade e linear na pressão. A partir de várias combinações de rotações cadinho-cristal, os perfis de velocidade obtidos são analisados com relação aos efeitos de incorporação de impurezas e/ou dopantes no cristal em crescimento.
Titre en anglais
Numerical simulation of liquid phase on silicon growth by Czochralski method
Mots-clés en anglais
Czochralski
Finite element
Liquid phase
Numerical simulation
Silicon
Resumé en anglais
In order to visualise the flow conditions during crystal growth of Silicon by the Czochralski technique, a numerical simulation is done. It is used the Finite Element Method with the Galerkin Formulation , and with quadratic approximations on the components of the velocity and linear approximations on the pressure. Many combinations of crystal and crucible rotations are analised and discussed considering optimal growth conditions.
 
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LuisScalviM.pdf (3.44 Mbytes)
Date de Publication
2009-10-20
 
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