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Dissertação de Mestrado
DOI
10.11606/D.54.1986.tde-13102009-111526
Documento
Autor
Nome completo
Luis Vicente de Andrade Scalvi
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Carlos, 1986
Orientador
Título em português
Simulação numérica da fase líquida do crescimento de silício pelo método Czocharalski.
Palavras-chave em português
Czochralski
Elementos finitos
Fase líquida
Silício
Simulação numérica
Resumo em português
Visando compreender os fluxos na fase líquida do crescimento de silício pelo método Czochralski, é feita a Simulação Numérica do silício fundido, resolvendo-se as equações que governam o fenômeno da convecção forçada no fluido: Balanço de Quantidade de Movimento e Balanço de Massa. A técnica numérica escolhida é a de Elementos Finitos, onde é utilizada a formulação de Galerkin, com aproximações quadráticas nas componentes da velocidade e linear na pressão. A partir de várias combinações de rotações cadinho-cristal, os perfis de velocidade obtidos são analisados com relação aos efeitos de incorporação de impurezas e/ou dopantes no cristal em crescimento.
Título em inglês
Numerical simulation of liquid phase on silicon growth by Czochralski method
Palavras-chave em inglês
Czochralski
Finite element
Liquid phase
Numerical simulation
Silicon
Resumo em inglês
In order to visualise the flow conditions during crystal growth of Silicon by the Czochralski technique, a numerical simulation is done. It is used the Finite Element Method with the Galerkin Formulation , and with quadratic approximations on the components of the velocity and linear approximations on the pressure. Many combinations of crystal and crucible rotations are analised and discussed considering optimal growth conditions.
 
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LuisScalviM.pdf (3.44 Mbytes)
Data de Publicação
2009-10-20
 
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