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Mémoire de Maîtrise
DOI
10.11606/D.54.1987.tde-22052009-133717
Document
Auteur
Nom complet
Ivo Alexandre Hummelgen
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Carlos, 1987
Directeur
Jury
Dumke, Vicente Roberto (Président)
Carvalho, Rene Ayres
Rodrigues, José de Anchieta
Titre en portugais
Investigação de problemas relacionados a mobilidade térmica de discordâncias utilizando aplicação de carga concentrada.
Mots-clés en portugais
Carga concentrada
Discordâncias
Mobilidade térmica
Resumé en portugais
A mobilidade térmica de discordância foi investigada em silício puro, floating zone, livre de discordâncias, utilizando medidas de rosetas produzidas por indentação. A mobilidade das discordâncias produzidas em amostras cobertas com camada de óxido crescida termicamente foi comparada com a de superfície não coberta. Um aumento da mobilidade térmica foi encontrado em amostras cobertas. Também foram obtidas informações sobre modificações na estrutura de discordâncias em rosetas relacionadas à anisotropia na dureza. Esse efeito foi encontrado como sendo dependente da temperatura.
Titre en anglais
Investigation of problems related to the thermal mobility of dislocations using indentation.
Mots-clés en anglais
Dislocations
Indentation
Thermal mobility
Resumé en anglais
The thermal mobility of dislocations was investigated in intrinsic floating zone dislocation free silicon using indentation dislocation rosette (IDR) measurements. The mobility of introduced dislocations in samples covered with a thermal oxide layer was compared with that with a bare surface. An increase on dislocation thermal mobility was found in covered samples. Also information about dislocations pattern structure modifications on IDR related to hardness anisotropy was obtained. This effect was found to be temperature dependent.
 
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Date de Publication
2009-05-26
 
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