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Thèse de Doctorat
DOI
10.11606/T.76.1994.tde-09062009-090951
Document
Auteur
Nom complet
Jose Fernando Fragalli
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Carlos, 1994
Directeur
Jury
Bagnato, Vanderlei Salvador (Président)
Andrade, Adnei Melges de
Basmaji, Pierre
Chitta, Valmir Antonio
Marques, Francisco das Chagas
Titre en portugais
Produção e caracterização de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por descarga luminescente a 60hz.
Mots-clés en portugais
Descarga luminescente
Propriedades elétricas
Propriedades estruturais
Propriedades ópticas
Silício amorfo hidrogenado
Resumé en portugais
Apresentamos neste trabalho uma técnica alternativa para a obtenção de filmes finos de silício amorfo hidrogenado (α-Si:H). Nós depositamos α-Si:H em um sistema de deposição que utiliza descarga luminescente a baixas freqüências (60Hz). Para tanto, nós projetamos todo o reator para que este objetivo pudesse ser atingido. Os filmes obtidos por nós mostram propriedades ópticas e eletrônicas bastante próximas aquelas dos filmes produzidos pela técnica convencional de descarga luminescente a radiofreqüência (13,56 MHz). A temperatura do substrato ótima para a técnica de descarga luminescente a baixas freqüências está na faixa 150-170°C, em torno de 100°C menor do que aquela usada para radiofreqüência. Neste trabalho nós apresentamos medidas das propriedades dos filmes, incluindo condutividade no escuro, fotocondutividade, comprimento de difusão ambipolar, absorção no infra-vermelho, gap óptico, e densidade de defeitos de níveis profundos. Para realizar parte destas medidas, nós construímos sistemas experimentais de caracterização exclusivos para o α-Si:H.
Titre en anglais
Production and characterization of thin films of hydrogenated amorphous silicon obtained by 60hz glow discharge.
Mots-clés en anglais
Electrical properties
Glow discharge
Hydrogenated amorphous silicon
Optical properties
Structural properties
Resumé en anglais
In this work we present an alternative technique for producing hydrogenated amourphous silicon thin films (α-Si:H). We deposited α-Si:H in a low-frequency (60 Hz) glow-discharge deposition system. For this purpose, we designed completely the reactor. The films we produced show electronic and optical properties nearly equivalent to those of films prepared by the conventional radio-frequency (13,56 MHz) glow-discharge technique. The optimal substrate temperature for the low-frequency glow-discharge technique is 150-170°C, about 100°C lower than that radio-frequency. In this work, we report measurements of film properties, including dark conductivity, photoconductivity, ambipolar diffusion lenght, infrared absorption, optical band gap, and deep defect density. To do these measurements, we assembled experimental systems used to characterize α-Si:H.
 
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Date de Publication
2009-06-15
 
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