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Mémoire de Maîtrise
DOI
10.11606/D.88.1996.tde-11092008-165630
Document
Auteur
Nom complet
Marcelo de Assumpcao Pereira da Silva
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Carlos, 1996
Directeur
Jury
Rossi, Jose Carlos (Président)
Galzerani, José Claudio
Guimaraes, Francisco Eduardo Gontijo
Titre en portugais
Estudo de Litografia por Feixe de Elétrons para a Produção de Padrões Sobre Substratos de Eletroestruturas
Mots-clés en portugais
Efeito de proximidade
Elétron resiste
Heteroestruturas
Litografia
Litografia por feixe de electrons
resiste
resolução.
Semicondutor
Sensibilidade
Resumé en portugais
Este trabalho trata do estudo das condições para a produção de padrões em escala nano e micrométricas, utilizando o processo de litografia eletrônica. A parte inicial refere-se ao estudo do elétron-resiste de PMMA incluindo a preparação da solução, o recobrimento do substrato e a secagem. Em seguida, são apresentados estudos sobre o funcionamento do sistema de litografia por feixe de elétrons em detalhe. São tratados problemas com o resiste, o substrato e a interação com a amostra. São apresentados os aspectos mais importantes dos substratos utilizados, sendo dado um enfoque a heteroestruturas semicondutoras com gás de elétrons bidimensionais. As condições para revelação do resiste e das etapas de processamento para que seja feita a replicação para o substrato do padrão gerado no resiste são também abordadas. Diversos estudos foram realizados para mostrar a influência de alguns efeitos comuns na litografia como a influência da espessura do filme de resiste e os efeitos de proximidade. Também trata da produção de padrões sobre substratos diversos como GaAs, VIDRO, ALUMINA e PRATA. A última etapa estuda a utilização de um resiste híbrido PMMA-Sílica como um método de conformação cerâmica. Finalmente é apresentado um estudo relativo a produção de diversos padrões diferentes sobre heteroestruturas semicondutoras de AlGaAs/GaAs.
Titre en anglais
Study of electron beam lithografhy for patterns production on semiconductor heterostructrucres substrata.
Mots-clés en anglais
Electron beam lithography
Electron resist
Heterostructurers
Lithography
Proximity effect
Resist
Resolution.
Semiconductor
Sensitivity
Resumé en anglais
The work describe the conditions for pattern production at nano and micrometric scale using the electronic lithographic process. In the first part many types of lithographic technics are compared and the aim why the electron beam lithographic nanostructured production was chosen. Detailed results about operation with the lithographic system and some problems related to electron resist, substrate and interaction between electron beam and sample are presented. The most important substrate aspects are shown. The two dimensional electron gas (2DEG) semiconductors heterostrutures and the M B E process to grow samples are discussed too. The conditions to develop electron resist and steps for pattern transfer over the substrate are discussed. Many experimental studies were realized to show the influence and some effects, common to the lithographic process, such as electron resist thickness and the proximity effect. A production of pattern on some kind of substrate like GaAs, Glass, Aluminum, Silver can also be observed. In the last part of this work some discussion about utilisation of hybrid electron resist composite PMMA-Silica was done, as well as very important technics for ceramic conformation. Finally, the main goal of this work is presented: the production of different nanostructure samples using AlGaAs/GaAs substrates.
 
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MarceloSilvaM.pdf (9.79 Mbytes)
Date de Publication
2008-09-16
 
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