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Disertación de Maestría
DOI
10.11606/D.88.2001.tde-24082015-114637
Documento
Autor
Nombre completo
Viviany Geraldo
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Carlos, 2001
Director
Tribunal
Scalvi, Luis Vicente de Andrade (Presidente)
Hernandes, Antonio Carlos
Hummelgen, Ivo Alexandre
Título en portugués
Filmes finos de SnO2 via processo sol-gel: influência de alguns parâmetros na deposição e da dopagem com Sb
Palabras clave en portugués
Não disponível
Resumen en portugués
Dióxido de estanho (SnO2) tem sido amplamente estudado devido às suas propriedades óticas e elétricas. Neste trabalho é investigada a preparação de filmes finos de SnO2 pela técnica sol-gel, usando diferentes procedimentos para a deposição das camadas. Além disso são incorporados aos filmes diferentes concentrações de dopante Sb, de modo a constituir um semicondutor do tipo-n. São apresentados resultados de absorção, transmissão e reflexão para uma ampla faixa de comprimentos de onda (0,2 µm- 6,0 µm).Observa-se um aumento da absorção e reflexão no infravermelho com o aumento da concentração de dopantes, o que pode ser explicado pela teoria de Drude. Análises estruturais, são feitas por técnicas tais como difração de raios-X, microscopia eletrônica de varredura e reflexão especular de raios-X, confirmando a estrutura da cassiterita e a espessura prevista para os filmes. O comportamento elétrico é verificado em função da presença de ar na câmara de tratamento térmico pós-deposição. É apresentado também um modelamento simples para explicar a alta resistividade dos filmes com base no espalhamento de elétrons no contorno de grão.
Título en inglés
Not available
Palabras clave en inglés
Not available
Resumen en inglés
Tin dioxide (SnO2) has been widely studied due to its optical and electrical properties. In this work, preparation of SnO2 thin films through solgel technique is investigated, using distinct procedures for layer deposition. Besides, several Sb doping concentration are incorporated into the film, in order to get a n-type semiconductor. Results of absorption, transmission and reflection are presented for an wide wavelength range (0,2 µm - 6,0 µm). It is observed that an increase in the doping concentration increases absorption and reflection in the infrared range, which can be explained by Drude's theory. Structure analysis are carried out by techniques such as X-Ray diffraction, Scanning Electronic Microscopy and X-Ray Reflectometry, confirming cassiterite structure and the predicted film thickness. Electrical behavior is verified as function of air in the annealing chamber. It is also presented a simple modeling to explain the high resistivity of the films, based on electron scattering at grain boundary
 
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VivianyGeraldoM.pdf (16.94 Mbytes)
Fecha de Publicación
2015-08-24
 
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