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Tesis Doctoral
DOI
10.11606/T.88.2001.tde-25042002-092742
Documento
Autor
Nombre completo
Inacio Regiani
Dirección Electrónica
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Carlos, 2001
Director
Tribunal
Souza, Milton Ferreira de (Presidente)
Bressiani, José Carlos
Hernandes, Antonio Carlos
Rodrigues, José de Anchieta
Tomasi, Roberto
Título en portugués
"Películas Espessas de Carbeto de Silício, SiC, sobre Mulita"
Palabras clave en portugués
Deposição química por Vapor (CVD)
mulita
SiC
terras raras
whiskers
Resumen en portugués
Filmes de carbeto de silício, SiC, cristalinos foram depositados sobre peças de mulita por meio da técnica de deposição química por vapor (CVD) a pressão atmosférica. As características da superfície do substrato determinam se o filme será denso ou poroso, enquanto a temperatura define a cristalinidade e a taxa de nucleação para formação do filme. Durante os procedimentos de preparação do substrato de mulita para a deposição do filme, observou-se o fenômeno da formação de whiskers de mulita quando adicionados 3%mol de terras raras a peça. O fenômeno de crescimento destes whiskers foi sistematicamente estudado para sua caracterização e compreensão do mecanismo de formação. A adição de terras raras promoveu um abaixamento na temperatura de mulitização e a formação de whiskers com uma composição cuja razão alumina / sílica é de 1,3, uma das mais baixas observadas.
Título en inglés
Silicon carbide, SiC, thick films over mullite.
Palabras clave en inglés
Chemical Vapor Deposition (CVD)
mullite
rare earth
SiC
whiskers
Resumen en inglés
Crystalline silicon carbide, SiC, films were deposited on mullite by atmospheric pressure chemical vapor deposition (CVD) method. The characteristic of substrate surface determinate if the film will be dense or porous, while the deposition temperature defines its crystalinity and nucleation rate in film formation. During the mullite substrate preparation process for film deposition, it was observed a whisker formation phenomenon when the piece was doped with 3%mol of rare earth. The growth phenomenon of these whiskers was studied systematically to its characterization and comprehension of its formation mechanism. The addiction of rare earth promote a reduction in mullitization temperature and the formation of whiskers with a composition that alumina / silica ration was 1.3, one of the lowest one ever observed.
 
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Fecha de Publicación
2004-04-30
 
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