• JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
 
  Bookmark and Share
 
 
Tesis de Habilitación
DOI
10.11606/T.43.2014.tde-12112014-150058
Documento
Autor
Nombre completo
Armando Corbani Ferraz
Dirección Electrónica
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 1987
Tribunal
Ferreira, Luiz Guimaraes (Presidente)
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Chaves, Alaor Silverio
Oliveira, Mario Jose de
Zuffo, Joao Antonio
Título en portugués
ESTRUTURA ELETRONICA DE SUPERFICIES E SUPER-REDES DE SEMICONDUTORES
Palabras clave en portugués
ESTRUTURA ELETRONICA
SEMICONDUTORES
SUPERFICIES
Resumen en portugués
Usando o método de pseudopotencial autoconsistente, com energia total e forças de Hellmann-Feynman, no esquema de densidade local, as geometrias de equilíbrio das superfícies GaAs ( 110) e ZnSe (110) são determinadas, e as estruturas de faixas de energia das super-redes (GaAs)n(A~As)n e (GaAs)n(ZnSe)n são estudadas. Os resultados sugerem que as superfícies se reconstroem com ângulos de rotação de ~ 31° para o GaAs ( 11 O) e de ~ 25° para o ZnSe ( 1 10), e os deslocamentos laterais são de 0.53, 0.33, 0.39 e o 0.14 A para os átomos de Ga, As, Zn e Se, respectivamente. Os estados de energia de superfície calculados para as geometrias de equilíbrio, estão em boa concordância com os dados experimentais de fotoemissão. Nos sistemas de super-redes, a recente observação na variação do gap nas estruturas (GaAs)n(A~As)n é explicada, e uma previsão é feita para as camadas ultra-finas do (GaAs)n(ZnSe)n. Investigamos também as diferenças entre as propriedades eletrônicas de (GaAs) 1 (A~As) 1 e da liga A~ 0 . 5 Ga 0 . 5 As. Finalmente, a variação do gap no sistema (GaAs)n(A~As)n, é comparada e contrastada com aquela no ( GaAs)n ( ZnSe) n
Título en inglés
ELECTRONIC STRUCTURE OF SURFACES AND SUPER GOALKEEPER OF SEMICONDUCTORS
Palabras clave en inglés
ELECTRONIC STRUCTURE
SEMICONDUCTORS
SURFACES
Resumen en inglés
Using the self-consistent pseudopotential method with total energy and Hellmann-Feynman forces, within the local density approximation, the equilibrium surface geometries of GaAs ( 110) and ZnSe ( 110) are determined, and the electronic band structure of (GaAs)n(A~As)n and (GaAs)n(ZnSe)n superlattices are studied. The results suggest that the surfaces reconstructs with a top layer tilt angle of ::: 31° for GaAs ( 110), ::: 25° for ZnSe o (110), and lateral displacements are 0.53, 0.33, 0.39 and 0.14 A for Ga, As, Zn and Se, respectively. Calculated surface state energies for the equilibrium geometry are in good agreement with photoemission data. In the systems of superlattices, the recent observation on the variation of the band gap in (GaAs)n(A~As)n is explained, and a forecast to the ultra-thin (GaAs)n(ZnSe)n is dane. The diferences between the electronic properties of the ( GaAs) 1 ( A~As) 1 and the alloy A~ 0 . 5Ga 0 . 5 As are investigated. Finally, the variation of the band gap in (GaAs)n(ZnSe)n is compared and contrasted with that in (GaAs)n(A~As)n
 
ADVERTENCIA - La consulta de este documento queda condicionada a la aceptación de las siguientes condiciones de uso:
Este documento es únicamente para usos privados enmarcados en actividades de investigación y docencia. No se autoriza su reproducción con finalidades de lucro. Esta reserva de derechos afecta tanto los datos del documento como a sus contenidos. En la utilización o cita de partes del documento es obligado indicar el nombre de la persona autora.
Fecha de Publicación
2014-11-14
 
ADVERTENCIA: Aprenda que son los trabajos derivados haciendo clic aquí.
Todos los derechos de la tesis/disertación pertenecen a los autores
CeTI-SC/STI
Biblioteca Digital de Tesis y Disertaciones de la USP. Copyright © 2001-2020. Todos los derechos reservados.